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上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)碳納米管MOSFET電流-電壓特性IV曲線(xiàn)測(cè)試

日期：2014-06-13瀏覽：2565次

上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)碳納米管MOSFET電流-電壓特性IV曲線(xiàn)測(cè)試

實(shí)驗(yàn)室中研究的許多納米級(jí)材料和器件，zui常見(jiàn)的電氣特性分析方法是電流與電壓 (I-V) 測(cè)試。電流-電壓特性是顯示電子器件上的直流電流與其兩端的直流電壓之間關(guān)系的一幅圖。電氣工程師使用這些圖確定器件的基本參數(shù)并對(duì)電子電路的行為建模。通常，工程師將特性分析圖稱(chēng)為 I-V曲線(xiàn)，從而指用于電流和電壓的標(biāo)準(zhǔn)符號(hào)。典型的碳納米管MOSFET 的漏電壓與漏電流 I-V 曲線(xiàn)。

上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)有限公司對(duì)于納米電子的具體電流與電壓測(cè)量有自己的選型指南方案，可以協(xié)助納米科學(xué)研究人員進(jìn)行
1.精密、有把握地分析納米材料和實(shí)驗(yàn)器件的能力；
2.直流、脈沖、射頻測(cè)試：拓展發(fā)現(xiàn)的潛力；
3.吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS 符合并且支持世界*項(xiàng)用于碳納米管的電測(cè)量標(biāo)準(zhǔn) —— IEEE P1650-2005 標(biāo)準(zhǔn)：“測(cè)量碳納米管電氣特性的 IEEE 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法”。
4.吉時(shí)利KEITHLEY高速和簡(jiǎn)潔的測(cè)試方案能讓生物學(xué)家、化學(xué)家、物理學(xué)家或其他研究人員簡(jiǎn)便地進(jìn)行復(fù)雜測(cè)量。
5.吉時(shí)利產(chǎn)品在久負(fù)盛名的納米科學(xué)研究期刊中廣泛使用和引用，例如：
- 《納米快報(bào)》(Nano Letters) - 《納米技術(shù)》(Nanotechnology) - 《IEEE 納米技術(shù)匯刊》(IEEE Transactions on Nanotechnology)
- 《先進(jìn)材料》(Advanced Materials) - 《自然》(Nature) - 《應(yīng)用物理快報(bào)》(Applied Physics Letters)

納米聯(lián)盟合作伙伴資源有：納米工程功能材料研究中心 (FENA)，西部納米電子研究所 (WIN)，加州納米系統(tǒng)研究院 (合作伙伴)

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