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上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)I-V曲線，C-V曲線圖半導(dǎo)體器件特性分析

日期：2014-07-03瀏覽：3942次

上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)I-V曲線，C-V曲線圖半導(dǎo)體器件特性分析解決方案
上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)結(jié)合美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY4200-SCS成功推出了I-V曲線，C-V測(cè)線半導(dǎo)體器件特性分析解決方案。當(dāng)前對(duì)于實(shí)驗(yàn)室研究的所有半導(dǎo)體器件，zui常見的電特性分析方法是：
I-V曲線圖：電流與電壓 (I-V) 測(cè)試顯示了流過的直流電流和電子器件以及器件兩端直流電壓之間的關(guān)系。
C-V測(cè)線圖：電容與電壓 (C-V) 測(cè)試用于分析半導(dǎo)體材料和結(jié)構(gòu)參數(shù)，例如表面俘獲電荷密度、固定電荷和氧化層電荷。

C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。
I-V 曲線分析：
電荷建立 (測(cè)量電壓 - 時(shí)間圖，用低電流源)；氧化層電容測(cè)定；與 C-V 曲線比較。
C-V 曲線 (準(zhǔn)靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線：
表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
移動(dòng)氧化層電荷密度 (偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)

半導(dǎo)體器件實(shí)驗(yàn)室的核心是參數(shù)分析儀。簡(jiǎn)單易用的4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)能進(jìn)行實(shí)驗(yàn)室級(jí)的直流和脈沖器件特性分析、實(shí)時(shí)繪制以及高精密和亞飛安分辨率的分析。4200-SCS 結(jié)合了 4200-CVU 的集成選件，現(xiàn)能讓半導(dǎo)體測(cè)試用戶靈活地創(chuàng)建集成了 DC、脈沖和 C-V 測(cè)試功能的方案。與傳統(tǒng)模擬曲線跟蹤軟件非常類似，ACS 基礎(chǔ)版能快速產(chǎn)生電子器件或封裝產(chǎn)品的一系列曲線，而且能靈活、容易地對(duì)結(jié)果進(jìn)行保存、比較和關(guān)聯(lián)。

4200-SCS半導(dǎo)體特性分析特性：
測(cè)量時(shí)間短 – 安裝簡(jiǎn)單、直觀的測(cè)試選擇向?qū)Р⑶覂?nèi)建測(cè)試；
無需編寫代碼 - ACS 具有直觀的 GUI 能快速簡(jiǎn)化 I-V 測(cè)試、分析和結(jié)果；
4200-SCS半導(dǎo)體優(yōu)化器件測(cè)試、驗(yàn)證和分析應(yīng)用；
硬件靈活性 – 動(dòng)態(tài)地加入或移除設(shè)備以滿足獨(dú)立測(cè)試的需要；
預(yù)裝應(yīng)用庫(kù) – 一組極豐富的超快、易于訪問的測(cè)試庫(kù)；
模塊化的靈活軟件架構(gòu)便于擴(kuò)展系統(tǒng)并使系統(tǒng)應(yīng)用能滿足的測(cè)試需要；
免費(fèi)可選后臺(tái)軟件許可，能容易地在另一臺(tái)PC上開發(fā)新的測(cè)試序列，無需掛起正在執(zhí)行工作的系統(tǒng)。

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